256-bitowe szyfrowanie danych AES, Technologia LDPC
Aluminiowa obudowa
Aluminiowa obudowa, Normy: CE, RoHS
Buforowanie SLC
Buforowanie SLC, NVMe 1.3, Bufor pamięci podręcznej DRAM
Certyfikaty: RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
Certyfikaty: RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, Oprogramowanie: SSD Toolbox and Migration Utility
danych
ECC (Error Correction Code), NCQ - Native Command Queuing
Format: U.2
Funkcja ECC
Ilość operacji odczytu IOPS (maks.) - 1000K, Ilość operacji zapisu IOPS (maks.) - 1000K
Ilość operacji odczytu IOPS (maks.) - 1150 K, Ilość operacji zapisu IOPS (maks.) - 1440 K, TBW -600 TB, Typ napędu - Wewnętrzny, Format szerokości - M.2 2280, Technologia Microsoft DirectStorage
Ilość operacji odczytu IOPS (maks.) 280 K, Ilość operacji zapisu IOPS (maks.) 250 K
Ilość operacji odczytu IOPS (maks.): 1200
Ilość operacji odczytu IOPS (maks.): 1200, Ilość operacji zapisu IOPS (maks.): 1550
Ilość operacji odczytu IOPS (maks.): 1300 K
Ilość operacji odczytu IOPS (maks.): 1400
Ilość operacji odczytu IOPS (maks.): 87 K
Ilość operacji zapisu IOPS (maks.): 1550, Ilość operacji odczytu IOPS (maks.): 1400
Ilość operacji zapisu IOPS (maks.): 50 K, Ilość operacji odczytu IOPS (maks.): 40 K, TBW: 240 TB
Ilość operacji zapisu IOPS (maks.): 75 K, Ilość operacji odczytu IOPS (maks.): 40 K
Interfejs PCI Express 4.0
Klucz M
Losowa wartość IOPS (4K) odczyt: 40000, Losowa wartość IOPS (4K) zapis: 65000
Losowy odczyt IOPS: 40000 IOPS
Losowy zapis IOPS: 85000 IOPS, Losowy odczyt IOPS: 80000 IOPS
Materiał obudowy: Metal i tworzywo
NVM Express (NVMe)
NVM Express (NVMe): TAK
NVMe
Obsługa S.M.A.R.T.
Obsługa S.M.A.R.T., Wsparcie TRIM
Obsługa TRIM
Obsługa TRIM, Buforowanie SLC
Obsługa TRIM, Losowa wartość IOPS (4K) odczyt: 75000, Losowa wartość IOPS (4K) zapis: 70000, S.M.A.R.T Self Monitoring Analysis and Reporting Technology
Obudowa odporna na wstrząsy, Funkcja ECC, Ochrona antywibracyjna
Odczyt losowy 4 KB: 2700000 IOPS
Odczyt losowy: 800000 IOPS
Odczyt losowy: 95000 IOPS
Odporny na wstrząsy, NVMe, Przeznaczenie - PC/Laptop, Litografia 12 nm, Wytrzymały na wibracje, Zakres temperatur (eksploatacja) - 0 - 70 °C, Maksymalna temperatura eksploatacji 70 °C
Odporny na wstrząsy, Wytrzymały na wibracje
PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Praca w temperaturach 0 - 70C
Prędkość interfejsu 6 Gbit/s
Prędkość obrotowa 7200 obr./min.
Radiator, 256-bitowe szyfrowanie AES, HMB, SLC
S.M.A.R.T.
Smart ECC, Technologia Thermal throttling
Szacowany czas eksploatacji średni czas bezawaryjnej pracy: 1 mln godzin
Szyfrowanie 256-bit AES
Szyfrowanie sprzętowe
Szyfrowanie XTS-AES 256
TBW (Total Bytes Written) 1280 TB
TBW (Total Bytes Written): 1000 TB
TBW (Total Bytes Written): 300 TB
TBW (Total Bytes Written): 600 TB
TBW 2400
TBW 300 TB
TBW: 100 TB
TBW: 1200 TB
TBW: 160 TB
TBW: 438 TB
TBW: 720 TB
Technologia SmartECC
Technologia TRIM
Temperatura pracy: 0 - 70 st.C
Temperatura pracy: 0 - 70 st.C, Temperatura przechowywania: -45 - 85 st.C
Test odporności na wibracje 20G
Typ dysku: wewnętrzny
Typ napędu - Wewnętrzny, Format szerokości - M.2 2280, Ilość operacji odczytu IOPS (maks.) - 800 K, Ilość operacji zapisu IOPS (maks.) - 1390 K, TBW - 300 TB, Technologia DirectStorage
Typ napędu: Wewnętrzny, TBW: 1200 TB, Ilość operacji odczytu IOPS (maks.): 1600 K, Ilość operacji zapisu IOPS (maks.): 1550 K
Typ napędu: Zewnętrzny
Wibracje podczas pracy: 2,17G szczytowo (7-800Hz)
Wibracje podczas pracy: 2.17 G szczytowo (7 - 800 Hz), Wibracje w stanie spoczynku: 20 G szczytowo (10 - 2000 Hz
Wytrzymałość SSD: 100 TB
Zakres temperatur (eksploatacja) 0 - 70 °C
Zapis losowy 250000 IOPS
Zapis losowy: 1 400 000 IOPS
Zgodność z RoHS
Zgodny z zasadami zrównoważonego rozwoju
Znak bezpieczeństwa CE
Zużycie energii 61 mW (aktywny) 1.56 wat (maks. odczyt) 2.455 wat (maks. zapis) 22 mW (stan uśpienia) 12 mW (DevSleep)
Żywotność do 5 lat