-
Koszyk jest pustyRealizuj zamówienieSuma 0
-
Koszyk jest pustyRealizuj zamówienieSuma 0
Dysk SSD Gigabyte Gen3 2500E 1TB M.2 2280 NVMe PCIe 3.0 x4 (2400/1800 MB/s) 3D NAND
Symbol:
G325E1TB
| Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
| Cena przesyłki | 12.99 |
| Dostępność |
Mało
|
| Kod kreskowy | |
| EAN | 4719331844387 |
Zamówienie telefoniczne: 726 918 285
Zostaw telefon
Rodzina dysków: Gen3 2500E
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: PCIe NVMe 3.0 x4
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 2400 MB/s
Prędkość zapisu (max): 1800 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 240.0
Odczyt losowy: 130000 IOPS
Zapis losowy: 350000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: NVMe 1.3, NAND: 3D NAND Flash, Dimension: 80 x 22 x 2,3 mm, Power Consumption (Active): Average : R : 2,67W / W : 3,20W, Power Consumption(Idle)(ASPT on): 30mW, Temperature (Operating): 0°C to 70°C, Temperature (Storage): -40°C to 85°C
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: PCIe NVMe 3.0 x4
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 2400 MB/s
Prędkość zapisu (max): 1800 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 240.0
Odczyt losowy: 130000 IOPS
Zapis losowy: 350000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: NVMe 1.3, NAND: 3D NAND Flash, Dimension: 80 x 22 x 2,3 mm, Power Consumption (Active): Average : R : 2,67W / W : 3,20W, Power Consumption(Idle)(ASPT on): 30mW, Temperature (Operating): 0°C to 70°C, Temperature (Storage): -40°C to 85°C
| Interfejs | PCIe NVMe 3.0 x4 |
| Typ dysku | SSD |
| Pojemność dysku | 1 TB |
| Typ złącza | M.2 (NGFF) |
| Format dysku | M.2 2280 |
| Prędkość odczytu (max) | 2400 MB/s |
| Prędkość zapisu (max) | 1800 MB/s |
| Rodzina dysków | Gen3 2500E |
| Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 1500000 h |
| Wsparcie dla technologii TRIM | Tak |
| TBW (ang. Total Bytes Written) | 240.0 |
| Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. | Tak |
| Odczyt losowy | 130000 IOPS |
| Zapis losowy | 350000 IOPS |
| Typ kości pamięci | 3D NAND |
Sklep internetowy na platformie
