Dysk SSD MSI SPATIUM S270 480GB SATA3 2.5" (500/450 MB/s) 3D NAND 7mm
Symbol:
S78-440E350-P83
Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
Cena przesyłki | 12.99 |
Dostępność | Mało 9 szt. |
Kod kreskowy | |
EAN | 4711377001168 |
Zamówienie telefoniczne: 726 918 285
Zostaw telefon
Rodzina dysków: SPATIUM
Pojemność dysku: 480 GB
Format dysku: 2,5 cala
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: SATA III (6 Gb/s)
Typ złącza: 7-pin S-ATA
Prędkość odczytu (max): 500 MB/s
Prędkość zapisu (max): 450 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 250.0
Odczyt losowy: 55000 IOPS
Zapis losowy: 80000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Informacje dodatkowe: Controller: PHISON S11, TRIM (Performance Optimization, OS supported), SMART (Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology), LDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithm, Over-Provision, Maximum Operating Power (W): 2,0, Wymiary: 100,20 x 69,85 x 7,00mm, Operating Temperatures: 0°C - 70°C
Pojemność dysku: 480 GB
Format dysku: 2,5 cala
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: SATA III (6 Gb/s)
Typ złącza: 7-pin S-ATA
Prędkość odczytu (max): 500 MB/s
Prędkość zapisu (max): 450 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 250.0
Odczyt losowy: 55000 IOPS
Zapis losowy: 80000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Informacje dodatkowe: Controller: PHISON S11, TRIM (Performance Optimization, OS supported), SMART (Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology), LDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithm, Over-Provision, Maximum Operating Power (W): 2,0, Wymiary: 100,20 x 69,85 x 7,00mm, Operating Temperatures: 0°C - 70°C
Interfejs:
SATA III (6 Gb/s)
Typ dysku:
SSD
Pojemność dysku:
480 GB
Typ złącza:
7-pin S-ATA
Format dysku:
2,5 cala
Prędkość odczytu (max):
500 MB/s
Prędkość zapisu (max):
450 MB/s
Rodzina dysków:
SPATIUM
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
2000000 h
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
250.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
55000 IOPS
Zapis losowy:
80000 IOPS
Typ kości pamięci:
3D NAND