-
Koszyk jest pusty
-
x
Do bezpłatnej dostawy brakuje
-,--
Darmowa dostawa!
Suma
0,00 zł
Cena uwzględnia rabaty
0,00 zł
0
Koszyk
-
Koszyk jest pusty
-
x
Do bezpłatnej dostawy brakuje
-,--
Darmowa dostawa!
Suma
0,00 zł
Cena uwzględnia rabaty
Dysk SSD Samsung 9100 PRO Heatsink 1TB M.2 2280 PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0 (14700/13300 MB/s)
Symbol:
MZ-VAP1T0CW
| Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
| Cena przesyłki | 0 |
| Dostępność |
Mało
|
| Kod kreskowy | |
| EAN | 8806095811673 |
Zamówienie telefoniczne: 726 918 285
Zostaw telefon
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe NVMe
Prędkość odczytu (max): 14700 MB/s
Prędkość zapisu (max): 13300 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 1850000 IOPS
Zapis losowy: 2600000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Pamięć zapisu: Samsung V-NAND TLC, Wymiary: Maks. 80.15 x Maks 25 x Maks 8.88mm (z Heatsinkiem), Waga: Maks. 28 g, Interfejs: PCIe5.0 x4 NVMe 2.0, Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (pół sinusa), Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
Gwarancja producenta [mies.]: 60
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe NVMe
Prędkość odczytu (max): 14700 MB/s
Prędkość zapisu (max): 13300 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 1850000 IOPS
Zapis losowy: 2600000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Pamięć zapisu: Samsung V-NAND TLC, Wymiary: Maks. 80.15 x Maks 25 x Maks 8.88mm (z Heatsinkiem), Waga: Maks. 28 g, Interfejs: PCIe5.0 x4 NVMe 2.0, Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (pół sinusa), Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
Gwarancja producenta [mies.]: 60
Interfejs:
M.2 PCIe NVMe
Typ dysku:
SSD
Pojemność dysku:
1 TB
Format dysku:
M.2 2280
Technika zapisywania danych:
TLC
Prędkość odczytu (max):
14700 MB/s
Prędkość zapisu (max):
13300 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
600.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
1850000 IOPS
Zapis losowy:
2600000 IOPS
Typ kości pamięci:
V-NAND
Gwarancja producenta [mies.]:
60
Dane producenta
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
www.samsung.com/support
Osoba odpowiedzialna
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
www.samsung.com/support
Sklep internetowy na platformie
