Dysk SSD Samsung 990 EVO Plus 2TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 (7250/6300 MB/s)

Symbol: MZ-V9S2T0BW
768,00 zł
szt.
Wysyłka w ciągu 24 godziny
Cena przesyłki 0,00 zł
Kurier 0,00 zł
Paczkomat InPost 0,00 zł
Odbiór w punkcie DHL POP 0,00 zł
Kurier (Pobranie) 21,99 zł
Dostępność Mało

Zamówienie telefoniczne: 726 918 285

Zostaw telefon
Rodzina dysków: 990 EVO Plus

Pojemność dysku: 2 TB

Format dysku: M.2 2280

Typ dysku: SSD

Typ kości pamięci: V-NAND

Technika zapisywania danych: TLC

Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak

Wsparcie dla technologii TRIM: Tak

Interfejs: M.2 PCIe NVMe

Prędkość odczytu (max): 7250 MB/s

Prędkość zapisu (max): 6300 MB/s

TBW (ang. Total Bytes Written): 1200.0

Odczyt losowy: 1000000 IOPS

Zapis losowy: 1350000 IOPS

Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h

Informacje dodatkowe: Pamięć zapisu: Samsung V-NAND 3-bit TLC, Wymiary: 80.15 x 22.15 x 2.38 mm, Waga: Maks. 9 g, Interfejs: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy), Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)

Gwarancja producenta: 60
Gwarancja producenta:
60
Interfejs:
M.2 PCIe NVMe
Typ dysku:
SSD
Pojemność dysku:
2 TB
Format dysku:
M.2 2280
Technika zapisywania danych:
TLC
Prędkość odczytu (max):
7250 MB/s
Prędkość zapisu (max):
6300 MB/s
Rodzina dysków:
990 EVO Plus
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
1200.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
1000000 IOPS
Zapis losowy:
1350000 IOPS
Typ kości pamięci:
V-NAND

Dane producenta

SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland

www.samsung.com/support


Strona korzysta z plików cookies zgodnie z Polityką Cookies w celu realizacji usług. Korzystanie z witryny oznacza, że będą one umieszczane w Twoim urządzeniu końcowym. Możesz określić warunki przechowywania lub dostępu do plików cookies w Twojej przeglądarce.