Dysk SSD Samsung 990 PRO Heatsink 1TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe (7450/6900 MB/s)

Symbol: MZ-V9P1T0CW
685,00 zł
szt.
Wysyłka w ciągu 24 godziny
Cena przesyłki 0,00 zł
Kurier 0,00 zł
Paczkomat InPost 0,00 zł
Odbiór w punkcie DHL POP 0,00 zł
Kurier (Pobranie) 21,99 zł
Dostępność Mało

Zamówienie telefoniczne: 726 918 285

Zostaw telefon
Rodzina dysków: 990 PRO

Pojemność dysku: 1 TB

Format dysku: M.2 2280

Typ dysku: SSD

Typ kości pamięci: V-NAND

Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak

Wsparcie dla technologii TRIM: Tak

Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe

Typ złącza: M.2 (NGFF)

Prędkość odczytu (max): 7450 MB/s

Prędkość zapisu (max): 6900 MB/s

TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0

Odczyt losowy: 1200000 IOPS

Zapis losowy: 1550000 IOPS

Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h

Informacje dodatkowe: Samsung V-NAND 3-bit MLC, Wymiary: 80 x 24,3 x 8,2 mm (z radiatorem), Waga: Maks. 28,0 g, PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0, Napięcie: 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0 - 70 ?, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy)

Gwarancja producenta: 60
Gwarancja producenta:
60
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ dysku:
SSD
Pojemność dysku:
1 TB
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
Format dysku:
M.2 2280
Prędkość odczytu (max):
7450 MB/s
Prędkość zapisu (max):
6900 MB/s
Rodzina dysków:
990 PRO
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
600.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
1200000 IOPS
Zapis losowy:
1550000 IOPS
Typ kości pamięci:
V-NAND

Dane producenta

SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland

www.samsung.com/support


Strona korzysta z plików cookies zgodnie z Polityką Cookies w celu realizacji usług. Korzystanie z witryny oznacza, że będą one umieszczane w Twoim urządzeniu końcowym. Możesz określić warunki przechowywania lub dostępu do plików cookies w Twojej przeglądarce.