SSD PCIE G5 M.2 NVME 1TB/9100 PRO MZ-VAP1T0BW SAMSUNG

Symbol: MZ-VAP1T0BW
Gwarancja 24 miesięcy
1201.00
szt.
Wysyłka w ciągu 7 dni
Cena przesyłki 0
Kurier 0
Paczkomat InPost 0
Odbiór w punkcie DHL POP 0
Kurier (Pobranie) 21.99
Dostępność Średnia dostępność

Zamówienie telefoniczne: 726 918 285

Zostaw telefon
Specyfikacja
Łącze PCI Express x4
NVMe wersja 2.0
Prędkość zapisu nośnika 13300 MB/s
Prędkość odczytu z nośnika 14700 MB/s
Wsparcie TRIM Tak
Losowy zapis (4KB) 2600000 IOPS
Typ pamięci V-NAND TLC
Losowy odczyt (4KB) 1850000 IOPS
Pojemność pamięci SSD 1 TB
Szyfrowanie / bezpieczeństwo 256-bit AES
Typ dysku SSD M.2
NVMe Tak
MTBF (Średni okres międzyawaryjny) 1500000 h
Przeznaczenie PC/konsola do gier
Obsługa S.M.A.R.T. Tak
Interfejs PCI Express 5.0
Obsługa DevSlp (uśpienia urządzenia) Tak
Szyfrowanie sprzętu Tak
Rozmiar dysku SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Pobór mocy (zapis) 7,2 W
Zużycie energii DevSlp (uśpienia urządzenia) 3,3 mW
Pobór mocy (bezczynny) 0,004 W
Średni pobór mocy (odczyt) 7,6 W
Napięcie pracy 3,3 V
Pobór mocy (odczyt) 7,6 W
Średni pobór mocy (zapis) 7,2 W
Szerokość produktu 80,2 mm
Wysokość produktu 80,2 mm
Waga produktu 9 g
Głębokość produktu 2,38 mm
Wstrząsy podczas pracy 1500 G
Zakres temperatur (eksploatacja) 0 - 70 °C
Rodzaj opakowania Pudełko
Okres gwarancji 5 lat(a)
Szerokość 144mm
Długość 97mm
Wysokość 21mm

Dane producenta

SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland

www.samsung.com/support

Blik + karty + portfele elektroniczne + PIS + przelew + płatności odroczone + raty 1215x200 bank pay