SSD PCIE G5 M.2 NVME 4TB/9100 PRO MZ-VAP4T0BW SAMSUNG

Symbol: MZ-VAP4T0BW
Gwarancja 24 miesięcy
4943.00
szt.
Wysyłka w ciągu 3 dni
Cena przesyłki 0
Kurier 0
Paczkomat InPost 0
Odbiór w punkcie DHL POP 0
Dostępność Mało

Zamówienie telefoniczne: 726 918 285

Zostaw telefon
Specyfikacja
Szyfrowanie / bezpieczeństwo 256-bit AES
Prędkość zapisu nośnika 13400 MB/s
Losowy zapis (4KB) 2600000 IOPS
Prędkość odczytu z nośnika 14800 MB/s
NVMe wersja 2.0
Typ dysku SSD M.2
Wsparcie TRIM Tak
NVMe Tak
Losowy odczyt (4KB) 2200000 IOPS
Przeznaczenie PC/konsola do gier
Szyfrowanie sprzętu Tak
MTBF (Średni okres międzyawaryjny) 1500000 h
Obsługa S.M.A.R.T. Tak
Typ pamięci V-NAND TLC
Łącze PCI Express x4
Pojemność pamięci SSD 4 TB
Interfejs PCI Express 5.0
Obsługa DevSlp (uśpienia urządzenia) Tak
Rozmiar dysku SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Napięcie pracy 3,3 V
Pobór mocy (odczyt) 9 W
Pobór mocy (bezczynny) 0,007 W
Pobór mocy (zapis) 8,2 W
Średni pobór mocy (zapis) 8,2 W
Zużycie energii DevSlp (uśpienia urządzenia) 5,7 mW
Średni pobór mocy (odczyt) 9 W
Waga produktu 9 g
Szerokość produktu 80,2 mm
Wysokość produktu 80,2 mm
Głębokość produktu 2,38 mm
Zakres temperatur (eksploatacja) 0 - 70 °C
Wstrząsy podczas pracy 1500 G
Rodzaj opakowania Pudełko
Głębokość opakowania 98 mm
Wysokość opakowania 22 mm
Waga wraz z opakowaniem 65 g
Szerokość opakowania 143 mm
Okres gwarancji 5 lat(a)
Szerokość 98mm
Długość 20mm
Wysokość 144mm

Dane producenta

SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland

www.samsung.com/support

Blik + karty + portfele elektroniczne + PIS + przelew + płatności odroczone + raty 1215x200 bank pay